“在过去的半年里，所有人都正经历着一场从未见过的场景。”

自2025年四季度到2026年一季度短短六个月的时间里，不论是DRAM还是NAND都经历着一场疯狂的“缺货、涨价、抢产能”，64GB DDR5 RDIMM合约价格暴涨两倍以上，其现货价格更是从200多美金飙升至2500美金以上。

在过去的几十年里存储半导体一直被视为典型的周期性行业，随着PC，手机，数据中心起起落落，而现在这一切正在被改写。正如邰炜先生在MemoryS2026峰会上表示的，“人工智能不仅仅是风口，更是一场底层革命。” 我们正在经历着一场由AI引爆的、全球性的存储缺货潮和价格重构。

在 MemoryS 2026峰会上，CFM闪存市场总经理邰炜以《穿越周期・释放价值》为主题发表演讲，深度剖析了 AI 时代存储产业的全新变局，CFM预测2026年全球存储市场规模有望突破6000亿美元，行业正式告别旧周期，迎来黄金发展时代。

AI驱动存储需求全面爆发，存储成为算力基石

人工智能的爆发式发展重构了数据生成逻辑，存储不再是数据生产链条中的被动 “仓库”，而是支撑大模型迭代与推理的关键基础设施，推动存储半导体从周期性波动产品转变为数据经济的核心生产力。

需求端，AI 成为存储产能的核心消耗者。CFM 预计 2026 年全球服务器出货中 AI 服务器占比将达 20%，服务器 DRAM 应用占比超 50%，AI 推理更是驱动 eSSD 成为 2026 年 NAND 最大应用市场。其中，KV Cache 作为推理加速关键技术，随大模型多模态、长上下文演进，其占用空间随 token 数和并发量线性增长，直接推动企业级 SSD 需求快速下沉。

服务器市场成为存储需求的核心增长极，新一代硬件平台持续推动高端存储需求升级。2026 年英特尔 Granite Rapids、AMD Turin 平台的扩大应用，将提升 6400 DDR5 需求；2027 年 AMD Venice、英特尔 Diamond Rapids 平台量产，会加速 7200/8000 DDR5 及 PCIe 6.0 SSD 在服务器领域的渗透。同时，Server-LPDDR 迎来应用爆发，英伟达从 Blackwell 到 Rubin 架构定义了 SOCAMM 到 SOCAMM2 的发展，SOCAMM 在高耗能场景相较 RDIMM 更具优势，加速卡的大规模采用也让 LPDDR 突破手机、超极本的应用边界。

供需结构性错配，AI存储短缺成为长期常态

与需求端的火热形成鲜明对比，存储行业供给端持续紧张，且结构性错配问题突出。全球头部存储厂商均将最先进产能优先投向高毛利的 AI 存储产品，成熟制程、消费级产能被持续挤压；叠加过去几年行业去产能、控资本开支的操作，行业库存水位跌至历史安全线以下。

这一供给策略的背后，是头部厂商历经数轮行业巨亏后的共识：摒弃盲目扩产，聚焦高技术、高价值、高壁垒产品。这使得行业供给弹性大幅下降，未来市场波动逐步收窄，长期景气度持续抬升。从 NAND Flash 产能扩张来看，行业 bit 增长率从过往的 30%~40% 降至如今的 10%~20%，供给格局从 “规模优先” 向 “价值优先” 转变，迈入纪律性增产阶段。

尽管原厂已开始增加资本开支、扩充产能，但存储行业产能扩张周期长达 18 至 24 个月，新产能最早 2027 年才能释放，且仍难以完全满足市场需求。邰炜先生明确指出，2026 年全球各类主流 AI 存储产品均无法实现供需完全平衡，AI 存储短缺将成为长期常态。

存储技术从微创新走向架构革命

AI最大的痛点并非算力不足，而是数据在存储与计算单元间的频繁搬运，降低系统效率。如何减少数据在存储与计算单元之间的频繁搬运，已成为行业共同攻关的核心命题。在这一背景下，存储技术正从“缩制程、加堆叠”的老路，迈向系统架构级的全面重构。

DRAM领域，HBM凭借3D堆叠结构和硅穿孔（TSV）技术成为技术天花板，“得HBM得高端市场” 成为行业新法则，HBM3E、HBM4的快速迭代将进一步提升带宽。封装技术成为HBM领域的决胜关键，混合键合技术正逐步取代传统微凸块，成为HBM性能提升的新引擎；2.5D/3D封装技术在系统级集成中发挥重要作用。从HBM4开始部分计算任务将下沉至base die，HBM4E更是将推动行业进入深度定制化阶段，base die的深度定制成为核心竞争力。

NAND Flash领域，300层以上产品的大规模量产持续推进，单Die成本不断下探。同时，企业级与消费级NAND彻底走向差异化发展，标准型NAND聚焦消费级市场，适配AI应用的企业级SSD则不断拔高行业标准，高可靠性、低时延、高寿命成为其核心定价标尺。

此外，CXL、CIM、PNM等新型存储架构技术成熟度快速提升，预计未来2至3年将从概念走向规模商用，成为存储技术架构革命的重要推手。正如邰炜先生所言，谁能解决AI时代数据搬运的功耗与延迟问题，谁就能定义行业下一个10年。

价格端：存储价格在2026年全年保持上涨

自2025年四季度起，存储价格迎来史诗级上涨，合约价与现货价同步跳涨，渠道、模组、整机全线传导。在一些产品的现货市场，价格上涨幅度更是超过10倍。存储行业的焦点已从“看谁更便宜”转向“看谁能拿到货”。邰炜先生强调：“这不是周期反弹，是长周期的范式转移。”

从价格走势来看，虽然整体供应缺口依旧较大，但在经历2025年Q4及2026年Q1、Q2的大幅上涨后，预计从Q3开始，存储价格涨幅将有所放缓，趋于平稳。

市场层面的分化要更为显著，服务器市场的火热与传统消费类市场的阵痛形成鲜明对比。受存储成本快速上升影响，CFM 预计 2026 年全球智能手机出货量将下滑 10%～15%，部分厂商受影响程度甚至达 30%。在此背景下，端侧 AI 迎来发展关键期，新一代高智能化的端侧 AI 产品，有望凭借更佳的用户体验获得市场认可，通过品牌或产品溢价化解上游存储涨价带来的成本压力。

繁荣下需保持理性，警惕两大潜在风险

在行业高度景气的背景下，但繁荣之下仍需保持清醒，防范短期风险冲击长期价值。邰炜先生提醒，当前存储产业面临两大潜在风险：

其一，警惕AI投资过热带来的阶段性波动。资本大量涌入、项目扎堆布局，可能带来短期需求透支，导致后续市场回调。

其二，警惕价格过快上涨对下游的压制。存储涨价最终由终端厂商承担，若价格持续高企，将过度透支下游需求，进而反噬整个产业链生态。

如何在景气周期中保持理性，避免短期狂热透支长期价值，成为行业必须直面的核心考题。