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全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)10日发布新闻稿宣布，已针对搭载于智能型手机/平板计算机的行动处理器(mobile processor)用高速缓存(cache memory)，研发出全球最省电的新型非挥发性磁电阻式随机存取内存「STT-MRAM(spin transfer torque magnetoresistive random access memory)」。东芝表示，目前高速缓存主要采用SRAM，而新研发的新型STT-MRAM为全球首款可较SRAM更省电的MRAM产品。

东芝表示，因智能手机持续朝高功能化演进，造成高速缓存容量变大，处理器耗电力也因此变大，故为了降低处理器耗电力，大多半导体业者计划利用STT-MRAM来替代SRAM，惟因现行的STT-MRAM在动作状态时需要非常大的电力，导致其耗电力反而远高于SRAM，惟东芝新研发的新型STT-MRAM的耗电力可降至现行STT-MRAM的约1/30，而搭载该新型STT-MRAM的行动处理器耗电力可降至现行产品(采用SRAM)的1/3。

东芝表示，之后将持续改良此次新研发的新型STT-MRAM，并将加快研发脚步，以早期将其进行量产。

据报导指出，MRAM即使切断电源数据亦不会消失，同时具备读取快速、大容量等特性，目前三星电子等多家企业也正进行相关研发。