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全球第2大NAND Flash厂商东芝(Toshiba)2日发布新闻稿宣布，为了确保NAND Flash次世代制程产品及3D存储器的生产空间，旗下位于三重县四日市第三座12吋NAND Flash厂的第2期工程将于今(2013)年8月底动工兴建，并预计于2014年夏天完工，东芝还称将投资近30亿美元到此项工程中。惟该第2期工程的设备导入时间、开始生产时间、产能及生产计划等细节，将视市场动向于今后再行决定。

东芝株式会社新任社长田中久雄（Hisao Tanaka）表示可能扩大设施，因为今年芯片需求量的增加，主要是智能手机和存储卡的需求增大了，尽管日元走弱，却增强了东芝与三星电子竞争的优势。

为了柔软因应市况需求，Fab 5整体兴建工程分为2期，其中第1期工程已于2011年7月完工量产、并于同年8月出货。Fab 5采用防震设计，广泛采用LED照明以及尖端节能生产设备预期可使其二氧化碳排放量较Fab 4减少13%。

Feb 5第1期工程的厂房建筑由东芝负责投资兴建，而厂房内所需的设备投资则由东芝和SanDisk合资设立的Flash Forward, Ltd.(东芝、SanDisk各持有50.1%、49.9%股权)负责。

东芝于5月21日宣布，已研发出一款采用19nm第2世代制程的2-bit-per-cell 64Gb NAND Flash产品，其芯片尺寸达全球最小的94平方毫米(现行品为131平方毫米)，东芝并于今年5月份利用四日市工厂量产上述次世代NAND Flash产品。东芝并指出，该公司目前正在研发采用19nm第2世代制程的3-bit-per-cell产品，并预计于2013年7-9月期间进行量产。