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日经新闻报导，全球第2大NAND存储器(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)于23日举行了动工仪式，正式着手建NAND Flash新厂。该座NAND Flash新厂为东芝位于三重县四日市第三座12吋NAND Flash厂「Fab 5」的扩建工程(第2期工程)，预计将在2014年度内开始量产采用最先端细微化技术的高性能NAND Flash产品、且之后并计划于2015年度生产采用3D结构的NAND Flash。

报导指出，该座NAND Flash新厂房会将制程技术自目前的19奈米提升至16-17奈米，且导入量产后，东芝12吋晶圆月产能将可较目前的45万片提升约20%。据报导，因半导体细微化正面临技术性的瓶颈，故全球NAND Flash龙头厂南韩三星电子(Samsung Electronics)已于今年8月开始生产采用3D结构的NAND Flash产品，对此，东芝执行资深常务董事成毛康雄于23日表示，期望藉由上述新厂房的量产，直指全球龙头位置，且东芝计划于2013年度末针对3D NAND Flash产品进行样品出货、之后并计划于2015年进行量产。

据报导，分析师表示，3D结构产品虽可有效提高芯片的存储容量，惟最大课题在于良率，故即便三星率先量产3D产品，在市占率的争夺上能否因此位居优势仍旧不明。2012年三星于全球NAND Flash市场市占率达37%、东芝为31%。