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 日本媒体日刊工业新闻27日报导，全球第2大NAND Flash厂商东芝(Toshiba)将携手半导体设备大厂Canon研发次世代半导体技术，双方将在今年内着手研发细微化技术、目标为在2015年度量产全球最先端的15nm制程NAND Flash产品。

据报导，日本半导体产业竞争力自1990年代以后就持续下滑，故东芝、Canon期望藉由“日本连合”的方式来引领技术革新脚步、提高竞争力。

报导指出，东芝、Canon将携手研发的技术为被称为“奈米压印(Nanoimprint)”的次世代半导体露光技术，双方干部并已就上述合作一事展开协商，且并计划于东芝的四日市工厂内导入Canon的先端制造设备以进行研发，至于研发费用的分担等细节则预估将在今年内敲定并对外发表。

东芝正和南韩三星电子(Samsung Electrocnis)争夺NAND Flash市占首位宝座，东芝并计划于今年夏天开始生产采用16-17nm制程技术的NAND Flash产品(目前最先端产品为19nm)。