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全球第2大NAND Flash厂商东芝23日发布新闻稿宣布，已研发出全球首见的15nm制程NAND Flash产品，且旗下NAND Flash生产据点「四日市工厂」第5厂房「Fab 5」会将现行生产的19nm第2世代NAND Flash产品更换为上述15nm产品、并将自本月底(4月底)开始进行量产。东芝并指出，目前兴建中的「Fab 5」扩建工程(第2期工程)完工后，也将在今年秋天量产上述15nm产品。

东芝指出，上述15nm NAND Flash产品的写入速度同于19nm第2世代产品，惟数据传输速度达533Mb/s、达19nm第2世代产品的1.3倍，且其芯片面积较19nm第2世代产品缩小约30%、达全球最小水准。

东芝并指出，计划于2014年4-6月期间量产采用15nm制程的3-bit-per-cell NAND Flash产品，且并将搭配研发中的高性能NAND controller，抢攻智能手机、平板电脑市场。

新帝的量产时间稍晚一些，而且比较模糊，只说是今年下半年，可同时用于MLC、TLC闪存。

新帝没说量产的具体地方，但是考虑到Fab 5其实是东芝、新帝合资兴建的，估计也会在那里进行。

新工艺依然搭配了新帝的All-Bit-Line(ABL)架构技术，拥有专利的变成算法、多级数据存储管理机制。