铠侠 https://www.kioxia.com/

据日经新闻报导，全球第2大NAND Flash厂商东芝(Toshiba)计划携手全球闪存卡龙头SanDisk于三重县半导体工厂内兴建新厂房，于2016年开始量产采用3D结构、容量可扩增至现行产品16倍的NAND Flash(目前东芝使用于智能手机/平板电脑的NAND Flash容量最高为64GB)。报导指出，东芝/SanDisk计划把双方共同营运的四日市工厂厂区内的闲置厂房改建成3D NAND Flash专用厂房，并将陆续导入生产设备，预估自2015年度起的3-4年内的投资规模最高将达5,000亿日圆(费用由东芝、SanDisk折半负担)。

据报导，若使用上述3D结构NAND Flash产品，就可在智能手机内最高存放约50个小时的4K画质影像；另外，若将3D结构NAND Flash容量维持于现行产品水准，就可让产品变得更小、更轻，能更易于搭载在眼镜型/手表型等穿戴式设备上，也将有助于穿戴式设备的研发。

报导并指出，除了上述3D NAND Flash产品之外，为了量产全球最先端的15nm制程NAND Flash，东芝也计划于2015年度结束前(2016年3月底前)对四日市工厂投资4,000亿日圆。

东芝于4月23日宣布，已研发出全球首见的15nm制程2-bit-per-cell 128-gigabit(16 gigabytes)NAND Flash产品，且旗下NAND Flash生产据点「四日市工厂」第5厂房「Fab 5」将自4月底开始进行量产，而目前兴建中的「Fab 5」扩建工程(第2期工程)完工后，也将在今年秋天量产上述15nm产品。东芝并指出，计划于2014年4-6月期间量产采用15nm制程的3-bit-per-cell NAND Flash产品。