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随着2D NAND工艺向1znm（12-15nm）逼近，越来越接近物理可量产的极限，让Flash原厂在2016年加快向3D NAND技术导入。为了更好的研发和投产3D NAND，三星、东芝、SK海力士、美光、英特尔等纷纷下足了血本。

3月17日东芝发布新闻稿称，在董事会上决议在四日市的周边进行一项新的投资建厂计划， 新的工厂主要用来生产与SanDisk合作开发的3D NAND芯片（BiCS FLASH）。

因为BiCS FLASH投产需要新配备3D制程设备专用的无尘车间，所以计划在2016上半年完工的新Fab 2将为3D NAND所专用。除此之外，为了满足未来市场对存储产品需求的增长，东芝还将额外新建3D NAND生产所需要的无尘车间。

考虑到这些情况，公司董事会决定在3年间内为新的半导体加工厂投入3600亿日元，更加详细的建厂进度和设备投资将根据市场需要在今年内制定完成，预计新厂房将在2018年完工。此外，由于建厂所需的成本是在2016年开始，将不会影响到东芝在2016年2月4日宣布的2015年的财务预测。

目前在3D NAND技术上，三星处于领先地位，2016年扩大48层3D NAND量产，并规划在年底实现64层3D NAND量产，东芝/SanDisk的 3D技术将采用48层，美光已将3D NAND的样本送往客户进行测试，SK海力士也在积极导入3D NAND投产。

2016年Flash原厂加快3D NAND发展进程，并砸巨额投资，其意在增长迅猛的SSD市场，与2D工艺相比，3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量，可为SSD带来更高的性能表现和更大的存储容量，这也是各Flash原厂加快3D NAND研发和扩大投资的主要原因。