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东芝推出最新的‘Supreme+’eMMC是基于JEDEC5.1标准，采用了15nm MLC NANDFlash，其存储容量范围为16GB-128GB，顺序读写速度分别高达320MB/s和180MB/s，与之前的产品相比，读写速度分别提升了2%和20%；随机读写速度分别比之前的产品提升了100%和140%。

另外，东芝推出的最新UFS是基于JEDEC 2.1标准，采用的是15nm MLC NAND Flash，存储容量范围为32GB-128GB，其顺序读写速度分别高达850MB/s和180MB/s，较之以前的产品分别提升了40%和16%，随机速写速度则提升了120%和80%。

传统的NAND Flash存储解决方案是采用标准的NAND闪存接口的独立存储芯片，与之相比较，eMMC和UFS存储芯片是将NAND Flash和相对应的控制器集成封装成一体，这样的封装方式不仅节省了空间，还减轻了主机处理器对NAND Flash坏块管理、错误纠正、损坏均衡和垃圾回收等管理的负担，这样的集成封装方式也使得硬件设计者更容易在系统中进行电路设计布局。

东芝在eMMC和UFS存储芯片中用了其最新的闪存和控制器技术，还开发了内部模拟M-PHY 3.0内核和数字UniPro 1.6内核与最新的UFS控制器集成。因此实现了主控与管理目标闪存存储的需求相匹配，确保了存储芯片的优异性能。

除了东芝，三星、美光、SK海力士都有推出UFS嵌入式产品，其主要是因为UFS 2.0单通道最高理论带宽高达600MB/s，双通道MIPI M-PHY HS-G3接口理论速度最高可达1200MB/s，UFS 2.1版本还增加了状态描述、安全写入保护等功能，以及固件的更新。eMMC 5.0的理论速度上限值是400MB/s，基于智能型手机对嵌入式存储产品性能更高的要求，原厂正在积极推动eMMC向UFS发展。

2016年三星、华为、小米、乐视、vivo、OPPO等旗舰机均已搭配了UFS 2.0，联发科和华为最新发布的Helio X30和麒麟960也已支持UFS 2.1，估计三星Exynos8895、骁龙830也会支持UFS 2.1，2017年新的旗舰机将会搭载UFS 2.1，正在逐渐取代eMMC成为主流。