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东芝曾在2016年11月宣布在日本四日市新建工厂，今日东芝举行了四日市Fab 6工厂和研发中心的开工典礼。

据悉，Fab 6工厂和Fab 5工厂一样，分为1期和2期，预计2018年夏天1期竣工。Fab 6工厂旁边建设的是3D NAND-BiCS FLASH研发中心，预计将在2017年末完成建设。关于Fab 6工厂设备引进，生产时间，生产能力，生产计划等，将根据市场动向而定。

东芝曾在2016年3月表示，未来3年内投资额达8600亿日元，其中包括建新3D NAND工厂，更新现有设备等，主要是为了扩大3D NAND-BiCS FLASH的生产，提高市场竞争力。

东芝合作伙伴西部数据（WD SanDisk）2月7日已宣布开始在日本四日市试产64层512Gb(three-bits-per-cell) 3D NAND（BiCS），预计将在2017下半年开始批量生产。

● 东芝2006年新建Fab 4工厂，2007年投产。
● 东芝2010年新建Fab 5工厂，2011年开始投产。
● 东芝2013年新建Fab 5二期工厂，2014年开始投产。
● 东芝2015年将Fab 2工厂改建成3D NAND专用工厂，于2016年开始投产。
● 东芝Fab 6工厂在2017年3月开始建设，2018年Q3开始量产，生产3D NAND。

除了东芝积极发展3D NAND，三星更是全面切换至3D NAND试产，其中华城Fab16从2016年3月开始，已将原有的16nm MLC产线和原有32层V-NAND产能全部转向48层V-NAND。西安工厂也在2016年开始将原有32层V-NAND产能转向48层V-NAND生产。

华城Fab17预计在2017年Q1开始试产，按需求调节生产DRAM和NAND Flash，NAND Flash部分生产64层V-NAND。平泽Fab18 预计在2017年Q2开始试产，主要生产64层V-NAND，未来预计总产能超20万片/月。

同时，三星正在计划将旧的生产线Fab12逐步做产线调整，生产项目还未有明确的决定。

美光64层3D NAND已于2016年12月送样，2017年将逐步进入量产阶段。新加坡IMFS Fab10X预计在2017年Q1开始试产，主要生产64层3D NAND。大连Fab68已在2016年Q3开始试产32层3D NAND，预计2017年中期转至64层量产。

SK海力士计划2017年提升至72层3D NAND量产，将在Q1推出样品，Q2开始小批量生产，计划新建的清州M15将在2017年8月动工，2019年6月之前完成洁净室的装备，也是主要生产3D NAND。从各家Flash原厂规划可以看出，2017年3D NAND竞争将更加激烈。