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东芝64层512Gb 3D NAND已送样,下半年量产

编辑:Helan   发布:2017-02-23 11:30

东芝昨日发布了其最新的BiCS Flash(Bit Cost Scaling架构3D NAND)产品——64层 512Gb 3D NAND,已在本月送样,预计今年下半年大规模量产。据悉这款最新的3D NAND不仅会用于消费类SSD产品还将应用于企业级的SSD产品中。

东芝2016年3D NAND主要以48层为主,单Die容量为256Gb,仅用于自己的闪存产品;在去年7月份宣布推出业内第一款3D 256Gb NAND,并在年底实现了小批量量产,2017年其3D量产主力将从48层逐步转移到64层的量产。

不仅如此,东芝还将利用其领先BiCS Flash技术,计划在4月份率先推出容量高达1TB的存储芯片,这款1TB的存储芯片是把16个64层512Gb 3D NAND Flash Dies封装到一起成为一个独立的封装片。

东芝宣称其最新的64层 512Gb 3D NAND实现了每个单位芯片的存储容量相较于48层 256Gb 提升了65%,增加了每片晶圆的产出容量,降低了单位容量的成本。

其实,在2月初之际,成功收购了SanDisk的西部数据也宣布开始在日本四日市试产64层512Gb 3D NAND,预计将在2017下半年开始批量生产。

除了东芝和西部数据,三星、SK海力士和美光在64层级的3D NAND技术也是不甘落后的。其中三星早在去年8月份就推出了其64层3D NAND,并已经实现了小规模量产,2017年也将会由48层向64层转移。SK海力士的规划是直接跳过64层挑战72层,预计2017年Q1季度推出样品,Q2开始小批量量产,目前没有更多的消息,期待下个月能见到样品。美光的64层NAND样品也已经于2016年12月份开始送样了,2017年将逐步进入量产阶段。

就目前的情形来看,原厂方面都在大力扩充3D NAND的产能的同时,继续不遗余力的开发更高密度更先进的NAND制程,以争取在越来越多远话元化的市场中抢占更多市场份额。

企业信息
公司总部
公司名称:
铠侠电子
地点:

日本东京都港区芝浦 3-1-21 108-0023

成立时间:
2017
所在地区:
日本
联系电话:
400-818-0280

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