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东芝(Toshiba)11日发布新闻稿宣布，关于目前已在四日市工厂厂区内兴建的3D NAND专用厂房第6厂房投资案，旗下子公司东芝存储器(TMC；Toshiba Memory Corporation)原先是计划在2017年度内(截至2018年3月底为止的会计年度)砸下1950亿日元（约合17亿美元）资金，用于导入第6厂房第1期工程所需的生产设备以及用于第2期工程的厂房兴建，不过因来自服务器、数据中心的3D NAND需求扩大，故TMC将在2017年度内加码投资1100亿日元（约合9.8亿美元）用于第1期工程的设备导入，也就是说2017年度内对第6厂房的投资金额将扩大至3050亿日元（约合27亿美元）。

东芝表示，关于西部数据（Western Digital）子公司SanDisk是否会参与上述追加的1100亿日元投资计划，目前正向SanDisk提案、协议中。

第6厂房第1期工程预计于2018年夏天完工，第2期工程厂房预计于2017年9月动工，2018年年末完工。关于具体的产能、生产计划，将于今后视市场动向决定。

另外，东京证券交易所11日宣布，自10月12日起将东芝从审查能否持续维持上市的警示股及监察个股名单中解除。

东芝于2015年9月因爆发记帐不实，获利灌水的会计丑闻而被列为警示股，之后因美国核电事业爆出巨额亏损而于2016年12月延长警示时间迄今。

东芝6月28日宣布，已携手SanDisk研发出全球首款采用堆叠96层制程技术的3D NAND Flash产品，且已完成试作，确认基本动作。该款堆叠96层的3D NAND试作品为256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技术的产品，预计于2017年下半送样，2018年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智能型手机、平板电脑和存储卡等市场。

上述堆叠96层的3D NAND将利用东芝四日市工厂第5厂房、新第2厂房以及预计2018年夏天完成第1期工程的第6厂房进行生产。