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2018年是3D NAND产能爆发的一年，也是由2D NAND向3D NAND普及的一年，目前Flash原厂主力以64层/72层3D NAND生产，为了持续降低NAND Flash成本和提高性能，并着手研发下一代96层3D NAND技术。

但由于3D NAND技术随着堆叠层数的升级，技术门槛和良率面临挑战，估算三星96层3D NAND将在年底面世，美光和英特尔计划在2019年Q1季度送样给客户，SK海力士也正在积极投入研发下一代技术。

为了在96层3D NAND技术上抓住先机，3月27日，东芝批准了东芝存储公司（TMC）对位于日本四日市Fab 6工厂生产下一代3D NAND洁净室设备的投资。在这第三轮投资中，TMC将投资约1400亿日元（约合13.3亿美元）用于制造设备的安装，包括薄膜沉积设备和湿式蚀刻设备。

TMC建造的Fab 6工厂主要用于提高96层BiCS Flash产出量。随着数据中心以及服务器对企业级SSD需求的快速增长，市场对TMC下一代3D Flash的需求也随之增长。TMC预计这部分需求在2018及以后还将保持强劲增长，投资Fab 6就是为了抓住市场这一增长的商机，并扩大业务。

东芝曾在2017年11月9日宣布TMC将在2017财年进一步加快设备投资的计划，并将此计划的投资金额从4000亿日元（约合38亿美元）提高到6000亿日元（约合57亿美元），用于加快四日市存储芯片生产线的安装。东芝表示，这一计划没有改变，继续推进。

东芝最新一轮关于Fab 6工厂设备投资的计划，仍属于2017财年的投资计划范围，投资计划的实施是为了确保设备及时到位，以免延误下一代3D NAND生产。

另外，东芝还表示，最新的投资计划不会对TMC出售产生影响。