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铠侠宣布其存储技术研究所和高级存储开发中心三位工程师获得电气和电子工程师学会（IEEE）颁发的2021年Andrew S. Grove奖，以表彰其在创新和持续创新方面的杰出贡献。

2007年，铠侠发布了3D闪存技术BiCS FLASH™，这是一种突破性方法，极大地简化了垂直堆叠存储单元，以实现高密度3D闪存的制造过程。传统堆叠需要重复的沉积和构图工艺来制造存储单元阵列，而BiCS FLASH™技术首先堆叠存储单元的材料，然后使用一次性构图工艺同时制作每个单元，从而显着减少了处理步骤。目前广泛使用的量产3D闪存基于铠侠的BiCS FLASH™概念。

得益于铠侠对完善3D闪存的不懈努力，该技术已帮助显著扩展和扩散了闪存应用，并满足了更小尺寸、更大容量的需求。

铠侠2021年IEEE Andrew S.Grove奖获得者：

Hideaki AOCHI   存储技术研究所高级研究员

Ryota KATSUMATA    高级存储器开发中心副总经理

Masaru KITO    高级存储器开发中心组经理