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从服务器到个人电脑，再到带独立缓存的固态硬盘，高效的易失性存储DRAM内存都是不可或缺的重要加速方案之一。

铠侠近日宣布，已开发出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半导体晶体管 DRAM）技术，这是一种新型4F² DRAM，由兼具高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术采用InGaZnO（铟镓锌氧化物）晶体管，可将漏电率降低到极低水平，从而降低DRAM功耗。

该技术已于2024年12月9日在IEEE国际电子元件会议 (IEDM) 上首次发布，由南亚科技和铠侠联合开发。有望降低各种应用的功耗，例如人工智能、后5G通信系统和物联网产品。同时也适用于内存级存储（SCM）技术，以及适配高密度和高性能的新型3D NAND FLASH。