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美光在2017年度分析师会议上给出了一些发展方向和目标。重点提到了存储产品的规划方向，包含了下一代GPU内存产品的规划。

NAND Flash方面，2016年，美光大规模量产其32层3D NAND Flash，并成功导入到不少产品之中，取得了突出的成绩，并于2016年12月实现了64层3D NAND的送样。

美光计划在2017年12月份前实现64层3D NAND的两个突破性进展：一、每片晶圆的GB当量产出提升80%；二、成本降低30%。其中512Gb的64层3D TLC NAND Flash将是美光的重点之一，同时，美光也会提供256Gb的3D TLC NAND Flash。

不仅如此，美光还将其64层256Gb 3D NAND Flash的DIE做到了业内尺寸最小，仅为59mm²（或者4.3Gb/mm²），相较于其竞争对手的64层3D NAND而言，面积小了25%左右。

在DRAM方面，美光主要提到了其DRAM制程的进展及GPU用的GDDR6的发展。在2016年，美光以20nm制程为主，同时也在致力于20nm 向1Xnm（16nm）过渡，预计其16nm GDDR5将在不久之后推出市场；另外，其1Ynm和1Znm的制程也在进行中，其中1Ynm 将在2017年下半年率先导入。

与此同时，出于对GDDR市场增长的乐观预测，其GDDR5X和下一代的GDDR6预计也将在2016年年底或是2017年年初推出。

谈到对市场的长期的看法，美光预计在接下来的几个月内，存储市场将逐步趋于稳定，其中DRAM供需将日趋平衡，NAND市场份额将逐步扩大。尽管目前仍然存在这缺货和价格上涨的现象，但是美光预计未来几年内，DRAM和NAND的将实现供应健康稳定的增长且每bit成本也将逐步稳定的下降。

考虑到DRAM相对较为缓慢的制程演变和比较稳定的价格体系，NAND的销售增长速度必将比DRAM更快。虽然美光目前DRAM业务占比比NAND大，但是美光对NAND产品的关注度在逐步提升，现有的局面将在近几年发生转变。

同时，美光对存储市场的发展预测也是比较乐观的，预计存储市场的增速将是半导体行业其他产业增速的2.5倍。