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继三星西安工厂二期开工，东芝加码投资Fab6、Fab7工厂之后，美光将在新加坡新建工厂，美光暂未透露新工厂生产能力，仅表示对该项目的投资将达数十亿美元，同时还将在新加坡扩大研发团队。

美光新工厂是Fab10系列Fab工厂的三期工程，预计将在2019年Q4投产。此前美光在新加坡已有两座工厂，分别名为Fab 10N和Fab 10X，主要生产NAND Flash晶圆，这两个工厂的Wafer产出大约占美光整体NAND Flash一半的产能。新工厂将与现有工厂毗邻，占地面积16.5万平方米，预计将在2019年年中完工，2019年Q4开始初期的投产,2020年逐渐增加产出。

美光CEO Sanjay Mehrotra表示，除了建设新工厂，美光还将扩大在新加坡的研发业务。除此之外，美光还将聘请材料科学家、电气工程师、数据科学家等等。目前，美光新加坡员工总数为7500人。新工厂和研发业务的扩大则要求美光公司需再雇用1000名员工。

美光也没有公布新工厂具体投产哪一代3D NAND技术。不过，美光第三代3D NAND技术的开发计划将于2018年年底或2019年初交付，而根据新工厂建设进度，预计该新工厂将用于生产96层3D NAND。

据悉，三星西安二期工厂、东芝Fab 7工厂、SK海力士M15工厂等都预计将在2019年底或2020年初投入生产，再加上美光新建的工厂，Flash原厂之所以加码投资新建工厂，主要是为了在96层3D NAND技术上抓住先机。因为64层3D NAND随着单颗Die容量增加到256Gb或512Gb，相较于2D NAND有成本优势，而96层3D NAND将可大幅度提高闪存产品的效益，自然成为了众矢之地。

其次，Flash原厂三星、东芝、美光等非常看好NAND Flash市场需求，2018年智能型手机高端机型需求向128GB和256GB升级，再加上大数据应用的SSD，人工智能、物联网等需求的发酵，NAND Flash产业将展现一片欣欣向荣的景象。

另外，Flash原厂加快投资的步伐，与中国存储企业在存储产业链上投资、建厂、合作等也有一定的关系，因为中国存储企业的强势加入，国际大厂自然会提早做好准备。