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美光14日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建。美光CEO Sanjay Mehrotra表示，新厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划，并应用先进3D NAND制程技术，进一步推动5G、人工智能、自动驾驶等关键技术转型。此外，美光亦将加码在台湾DRAM厂投资，台中厂扩建生产线可望在年底前落成。

美光目前全球厂区共达12座，新加坡是以NAND Flash晶圆制造为主。2016年在新加坡成立NAND卓越中心，包括新加坡Fab 10晶圆厂区，以及位于新加坡及马来西亚的封测厂，此次扩建的Fab 10A厂区将根据市场需求的趋势调整资本支出，预计下半年可开始生产，但在技术及产能转换调整情况下，Fab 10厂区总产能不变。

DRAM布局上，以日本广岛与台湾作为重心，日本广岛厂为先进制程研发中心，在台湾设立卓越中心则具备DRAM制造、研发与后段封测的完整供应链。美光近几年来在台投资规模不断扩大，台中厂区除了现有12寸厂外，也将加快投资进行新厂区扩建，计划在年底前完成，而台中厂区后段封测厂亦持续扩大产能。

随着韩国三星及SK海力士开始评估在先进DRAM制程上采用EUV技术，美光也开始评估将EUV技术应用在DRAM生产的成本效益，随着DRAM制程由1znm向1α、1β、1γnm技术推进过程，会选择在合适制程节点采用EUV技术方案。