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美光14日举行新加坡Fab 10A厂扩建完成启用典礼，正式宣布新工厂将在2019下半年开始生产。据悉，美光在新加坡已有Fab 10N、Fab 10X两座3D NAND工厂，新Fab 10A工厂是从2018年开始新建，主要用于生产3D NAND。

美光Fab工厂分布情况

美光新加坡Fab 10A新厂投产，后续产能规划备受关注！

2019上半年全球智能手机出货同比下滑4.4%，中国市场同比下滑4.3%，PC出货也同比下滑了1.6%，再加上数据中心在5G到来前正处于库存调整期，使得NAND Flash市场一直处于供应过剩的市况，影响消费类NAND Flash价格大跌了32%。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2019年Q2季度美光NAND市场份额全球排名第四，新厂投产的后续产能规划备受关注。2019上半年NAND Flash产业遭遇冷风和困境，如今美光宣布新加坡Fab 10A新厂将在2019下半年投入生产3D NAND，犹如给NAND Flash产业原本就供过于求的市况又一打击，也让市场业内人担忧后续供应将更加过剩。

不过，美光执行长Sanjay Mehrotra已表示，新加坡厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划，并应用于先进3D NAND制程技术，进一步推动5G、人工智能（AI）、自动驾驶等关键技术转型。

Sanjay Mehrotra表示，虽然2019上半年产业供需面临过剩的挑战，但终端需求会逐渐成长，下半市况表现将会趋于正常，并对未来产业前景乐观看待，尤其是5G、云端数据中心，以及自动驾驶等会大量增加对DRAM与NAND Flash的需求，美光会持续增加投资。

在美光减产策略影响下，新工厂对NAND市场供应影响有限

由于市场供应过剩，2019上半年NAND Flash需求和价格双双下滑，美光科技截止至2019年5月31日的2019财年Q3营收为47.88亿美元，同比减少38.6%，环比减少17.9%；净利润为8.40亿美元，同比下降78%，环比下滑57.4%；营业利润为10.10亿美元，同比减少74.9%，环比下滑52.4%。

美光季度营收情况

美光2019财年Q3：截止至2019年5月31日

美光Q3财报数据显示，DRAM营收环比下降19%，同比下降45%；ASP环比下滑了20%，出货环比平衡。NAND营收环比下降18%，同比下降25%；ASP环比下滑了大约15%，出货环比下滑5%。另外，美光的库存仍然处于高位，2019年Q3财季中库存量达到49亿美元，同比增长了46%。

美光季度库存变化

美光预计2019年NAND需求将增长35%，行业Bit供应增长将超过35%。为了进一步促进供需平衡，美光将晶圆减少由原本的5%增加到10%，还将削减2020年资本支出。在美光减产策略影响下，新工厂投产对NAND市场供应影响有限，短期内对市场影响不大。

128层堆叠战局已开，新工厂助力美光3D NAND发展

就目前而言，美光Fab10A新厂初期主要是以扩建无尘室空间为主，增强工厂生产的弹性空间，助于3D NAND技术过渡，预计不会增加额外的晶圆产能产出，所以暂时不会对NAND Flash市场供应产生很大的影响。

在3D NAND技术上，2019上半年三星、东芝存储器、西部数据、美光、SK海力士等原厂仍以64层/72层3D NAND生产为主，从下半年开始将向96层3D NAND技术过渡，并积极向下一代100层以上3D NAND技术发展。

先进技术是核心竞争力，自原厂进入64层堆叠以来，3D NAND技术越来越成熟，更新迭代的周期缩短，根据规划未来3年内3D NAND技术就有望突破500层堆叠，发展速度超乎市场预料。

6月26日，SK海力士宣布推出业内首款128层TLC 4D NAND Flash，生产效率提高40%，容量为1Tb，而且正在开发下一代176层4D NAND，预计将在2020年底可望投产。此外，三星也宣布推出了首个100+层且单栈（Single-stack）设计的第六代V-NAND，并已开始批量生产基于该技术的250GB SATA SSD，还计划从2020年在韩国平泽工厂扩大第六代V-NAND生产，以确保其在业界的领先地位。

美光3D NAND技术

面对竞争对手的快速发展，美光第三代96层3D NAND已进入量产，下一代将向128层3D NAND推进，是64+64层的结构，从Floating Gate浮栅向栅极技术(Replacement Gate)过渡，并继续使用阵列下的CMOS架构，未来也将发展至200层堆叠。美光Fab10A新厂无尘室的扩建，有助于美光向新一代3D NAND技术快速过渡，抢占市场商机。