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美光科技公司宣布开始大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品。

美光技术开发执行副总裁Scott DeBoer表示，开发和大规模生产业界小尺寸DRAM体现了美光的先进技术和制造能力，特别是在DRAM进一步扩展极其复杂的时候，率先推向市场，使我们能够继续为广泛的终端客户提供高价值的解决方案。

与上一代1Ynm制程相比，美光的1Znm 16Gb DDR4产品可提供更高的密度，显着的增强性能以及更低的成本。同时也将强化DDR4、LPDDR4和图形GDDR6产品线在性能和功耗方面的持续进步。功耗和性能之间的优化和平衡是应用差异化因素的关键，其中包括人工智能、自动驾驶汽车、5G、移动设备、图形、游戏、网络基础设施和服务器等领域。

美光通过大规模生产16Gb DDR4存储解决方案，以及向1Znm过渡，将带来更多的产品优势。与前几代基于8Gb DDR4的产品相比，功耗降低约40%。美光公司全面的Znm DDR4产品系列旨在满足现代数据中心对更高性能、更高密度和更低功耗的不断增长的需求。

对于DRAM技术的发展路线，在5月份的美光投资者大会上，美光曾表示，在1Znm工艺世代以后还将有1αnm、1βnm、1γnm进行微细化的工艺。

6月11日，美光宣布位于日本广岛的新工厂B2竣工，预计将在2019年底量产1Znm LPDDR4。美光还计划进行第二阶段投资，将建设F栋制造工厂，将用于量产1Znm工艺之后的1α、1βnm技术。

除了美光，三星1znm DRAM也进入了量产阶段，三星在2019年3月宣布首次开发出第三代10纳米级（1Znm）8Gb 双倍数据速率的DDR4，而且不使用极紫外光刻（EUV）设备处理，就突破了DRAM的技术挑战。同时，为了满足高端智能型手机的需求，上个月三星又宣布了量产业内首款12Gb LPDDR5，具有5500 Mb/s的数据速率，基于最新的第二代10nm级（1Ynm）工艺，预计晚点时候三星将会推出1Znm LPDDR5。