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美光科技宣布第四代3D NAND存储芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，美光表示，新一代产品计划于2020年实现量产，但是仅仅会应用在特定领域中。

美光第四代3D NAND存储芯片应用在128层产品中，继续沿用CMOS阵列。美光之前的3D NAND存储芯片采用同英特尔一起研发的浮动栅极结构，新一代的替代栅极结构有望让Die size和成本进一步减小，并可以更容易的转变到下一代3D NAND技术。

美光第四代3D NAND存储芯片成功流片表明美光公司新型技术不仅仅是一个概念，然而，美光目前并不打算将所有产品线全部推广新型的替代栅极结构，因此，该公司明年每bit的成本不会显著减少，美光对此表示，在2021财年（2020年9月份开始），大规模应用替代栅极结构后，每bit的成本将有效降低。

美光集团CEO Sanjay Mehrotra表示，我们已经成功完成替代栅极架构的3D NAND存储芯片的首次流片，这一里程碑的进展降低了我们向下一代技术过渡的风险，值得注意的是，我们的首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上，并被应用到特定的产片线。我们预计，到2021财年，第二代替代栅极架构大规模应用之后，我们每bit的成本才能得到显著降低。

目前，美光公司正在提高96层3D NAND的产能，明年有望大规模应用到全系列产品线。短期内，128层3D NAND存储产品不会带来成本的大幅度降低，但是随着技术的不断成熟以及应用的不断扩大，每bit的成本将进一步降低。