美光 http://www.micron.com/

每年美光都会发布年度公司和产业前瞻，在2020年度的投资者大会上，美光对公司和全球产业进行了预测。

一、DRAM和NAND Flash市场已远超半导体产业增长速度

美光在投资报告中表示，近20年的科技发展，从PC/互联网，到移动通讯，再到数字经济，存储产业规模快速增长，未来还有更大的市场机会。从2017年开始，以DRAM和NAND Flash为主的半导体存储市场规模已超过1000亿美金，增长速度远超于半导体产业发展。

二、近5年里，美光DRAM和NAND Flash供应增长符合市场预期

• 2019-2023年DRAM市场需求复合增长率超15%
• 2019-2023年NAND市场需求复合增长率约30%

因应市场需求的不断发展，近5年时间，美光DRAM和NAND Flash供应量增长符合市场预期，主要依靠提高技术发展满足市场需求。

在DRAM技术上，美光从2019年就开始导入1z nm技术，并陆续大规模生产DDR4和LPDDR4，2020年初美光基于1z nm技术的DDR5 RDIMM开始送样，还将投入下一世代HBM以及1α技术的研发。在NAND Flash方面，三星、西部数据、铠侠、SK海力士已陆续量产100+层3D NAND，美光第一代RG节点的128层3D NAND也进入了量产阶段，规划出货时间是在FQ4。

三、美光高价值NAND Bit在2021年超过80%

存储本来就是一个重投资、周期性波动、行情跌宕起伏、市场竞争激烈的产业，2019年美光在NAND Flash市场排名第四，占全球市场份额的13%；在DRAM市场，美光排名第三，占市场份额的21%。

为了在市场上占据绝对的地位，美光除了推动DRAM和NAND Flash向高容量、高质量发展，基于3D Xpoint技术还发布了更快SSD。为了确保技术的领导地位，以及满足服务器、企业等领域对高品质解决方案的需求，美光高价值NAND Bit目标是在2021年超过80%。

四、技术升级挑战，美光洁净室投资是往年的1.5-2倍

随着技术的发展，DRAM技术在1z nm制程之后，其扩展性将遭遇挑战。为了突破瓶颈，三星DRAM量产已导入EUV工艺，所付出的投资金额也很大。美光在1z nm之后所研发的1αnm、1βnm、1γnm制程会更逼近10nm，也将遇到同样量产瓶颈问题。

美光表示，为了持续推进先进技术的发展，今年其洁净室投资是往年的1.5-2倍，主要用于加速向先进节点切换，提升先进制程产能，包括EUV洁净室的建设，全球灵活布局产能。

五、提高效率，美光2年内客户认证时间缩短30%

无论存储产业是周期性上行还是下行，确保先进技术是首要任务，提高效率也同样重要。尤其是2020年突如其来的“疫情”冲击全球产业链，进一步凸显了高效率的重要性。

美光表示，持续提高效率，在2年内已将与客户进行新产品认证的时间缩短了30%。也就代表着客户向新技术或新产品的过渡的速度加快，同时新品迭代和上市的时间加快，有利于获得更好的市场竞争力。