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美光宣布已开始量产全球首款 232 层 NAND，与前几代美光 NAND 相比，它具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效，从而为从客户端到云的数据密集型用例提供一流的支持。

美光232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储，以支持数据中心和汽车应用所需的高级解决方案和实时服务，以及在移动设备、消费电子产品和 PC 上的响应式沉浸式体验。该技术节点能够引入业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s) — 以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，非结构化数据库和实时分析以及云计算。该速度比美光 176 层节点上启用的最快接口快 50%。与上一代相比，232 层 NAND 还提供高达 100% 的更高写入带宽和 75% 以上的每裸片读取带宽。这些单芯片优势可转化为 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能和能效提升。

此外，232层NAND推出全球首款6 plane TLC量产NAND。它在所有 TLC NAND中每个芯片的平面最多，并且每个平面都具有独立的读取能力。高 I/O 速度、读写延迟和美光的6 plane架构相结合，可在许多配置中提供一流的数据传输。这种结构确保了写入和读取命令之间的冲突更少，并推动了系统级服务质量的改进。

美光232 层 NAND 是首款支持 NV-LPDDR4 的生产产品，这是一种低压接口，与之前的 I/O 接口相比，每比特传输节省 30% 以上。因此，232 层 NAND 解决方案为数据中心和智能边缘的移动应用和部署提供了理想的支持，必须在提高性能和低功耗之间取得平衡。该接口还向后兼容以支持旧控制器和系统。

232 层 NAND 的紧凑外形为客户的设计提供了灵活性，同时实现了有史以来最高的每平方毫米 TLC 密度（14.6 Gb/mm2）。面密度比当今市场上的竞争 TLC 产品高 35% 到 100%。232 层 NAND 采用新的 11.5 毫米 x 13.5 毫米封装，其封装尺寸比美光前几代产品小 28%，使其成为市面上最小的高密度 NAND。更小尺寸的更高密度可最大限度地减少用于各种部署的电路板空间。

美光的 232 层 NAND 现已在美光新加坡工厂量产。它最初以组件形式通过其 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。随后将发布其他产品和可用性公告。