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美光科技宣布其位于爱达荷州博伊西的存储制造工厂破土动工。这将是 20 年来美国第一家新的存储制造厂。

美光表示，基于这一新工厂，将紧密结合研发和制造，提供协同效应，加速先进存储技术的生产。通过 CHIPS 和科学法案提供的预期拨款和信贷使这项投资成为可能，还增强了美光的供应链弹性，并将为美国建立新的战略能力。

美光此前披露到本世纪末投资 400 亿美元在美国建立领先的存储制造。尽管内存和存储的近期需求环境面临挑战，但预计到 2030 年存储市场收入将翻一番。因此，新的晶圆产能将在采用人工智能和 5G 的推动下，满足数据中心、工业、汽车和移动等细分市场的长期需求。爱达荷州博伊西的投资是美光未来十年将美国 DRAM 产量提高到该公司全球产量的 40% 战略的一部分。美光正处于美国另一个大批量生产基地选择过程的最后阶段。

博伊西新工厂的建设预计将于 2023 年初开始，洁净室空间将于 2025 年开始分阶段投产。新的 DRAM 生产计划于 2025 年开始，随着行业需求的增长，将在本世纪的后半段加速生产. 最终，洁净室空间将达到 600,000 平方英尺——大约相当于 10 个美国足球场的大小，是美国有史以来建造的最大的单一洁净室。

美光的博伊西工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外光刻 (EUV)，以推动下一代 DRAM 的行业领先地位。