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美光科技日前宣布计划建造美国历史上最大的半导体制造设施。新的巨型晶圆厂将增加美国国内领先存储器的供应。

美光计划在未来20多年内投资高达1000 亿美元，在纽约克莱建造一座新的巨型工厂，计划在本十年末完成第一阶段投资 200 亿美元。美光在纽约奥农达加县的投资将补充该公司之前宣布的爱达荷州博伊西的大批量制造工厂。美光将根据其可持续发展目标设计、建造和运营该设施。该场地最终可能包括四个 600,000 平方英尺的洁净室，总共 240 万平方英尺的洁净室空间——大约相当于 40 个美国足球场的大小。

美光在纽约的超级工厂是其战略的一部分，该战略旨在在未来十年将美国制造的领先 DRAM 产量逐步提高到公司全球产量的 40%。场地准备工作将于 2023 年开始，建设将于 2024 年开始，生产量将在本世纪后半叶逐步增加，以符合行业需求趋势。