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美国商务部宣布，将向美光提供61.65亿美元（约合447亿人民币）补贴。此外，还将提供高2.75亿美元的资金支持美光弗吉尼亚DRAM项目的扩建和现代化，并签署了额外的初步交易备忘录。

美国商务部于4月宣布计划向美光提供相应金额，并签署初步交易备忘录。最新公告确认了补贴的发放。补贴不会一次性支付，而是在项目的每个阶段分期支付。

这笔补贴资金将支持美光在纽约州投资约1000亿美元，在爱达荷州投资250亿美元，创造约2万个就业岗位，并将帮助美国在先进存储制造领域的份额从目前的不到2%提高到2035年的约10%。

据CFM闪存市场数据显示，美光是第三大DRAM公司和第四大NAND Flash公司。

此外，美国商务部与美光签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，拟拨款2.75亿美元，用于扩建和现代化位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。未来几年，现代化的预期资本支出将达到20亿美元。拟议项目将把美光1-alpha 技术引入其马纳萨斯工厂，显著提高每月晶圆产量。美光1-alpha节点在位密度、功率效率和性能方面都有显著的改进。支持美光 1-alpha 技术的稳定供应将提高美国供应链的弹性，因为弗吉尼亚州生产的传统 DRAM芯片是汽车和工业市场的重要组成部分。