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NAND Flash供应商积极投入3D NAND研发，过去以韩系厂商脚步较为积极，现在就连美日大厂也陆续跟进。封测大厂力成董事长蔡笃恭表示，3D NAND的技术加上封装的堆栈技术，可望大举推动SSD渗透率攀升，未来1~2年之后，将快速取代现有传统硬盘。

3D NAND Flash于2013年正式问世，当时由三星领先量产并命名为V-NAND，并发表首款采用3D NAND Flash的SSD（Solid State Disk，固态硬盘），随后东芝、美光、英特尔等也不约而同聚焦3D NAND Flash的发展，今年开始陆续有重大的突破，继美光与英特尔共同发表新型3D XPoint存储器技术后，东芝与新帝也将推出最新的3D NAND产品。

1~2年后将取代硬盘

东芝与SanDisk本周将宣布共同开发存储器的合作，已进入新的里程碑，东芝表示，新帝采用此款3D NAND芯片的储存产品，预计在今年底前出货。另外，英特尔与美光携手合作推出的32层3D NAND芯片将在第4季之前投入量产、三星发表第3代V-NAND芯片，也预计在今年下半年开始量产。

随着3D NAND产品陆续进入量产，台系存储器封测厂力成、南茂也将同步受惠。力成董事长蔡笃恭表示，公司长年来投入NAND Flash堆栈技术已久，加上3D NAND的需求逐渐增温，看好未来该产业趋势发展，尤其进入3D NAND时代之后，更加考验封测厂的测试能力以及堆栈技术，可以让力成与客户的关系更加紧密。

蔡笃恭指出，3D NAND的技术加上封装的堆栈技术，未来SSD当中NAND Flash的数量将大幅提升，容量增加，只要小小一颗芯片，效能就很大，相信未来1~2年之后，将会快速取代现有的传统硬盘，届时也将掀起更多3D NAND封测需求。