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中芯国际于香港时间30日下午6时58分公布，其低漏电(LL)45奈米技术在位于上海的12吋晶圆厂内已成功通过工艺认证及SRAM产品认证，其32兆、位元单元为0.299 um2的SRAM良率高于85%。中芯国际ADR 30日闻讯大涨10.07%，收6.67美元，创2007年10月5日以来收盘新高。

中芯国际指出，该公司45奈米制程技术的开发是基于IBM授权的45奈米bulk CMOS逻辑技术平台，适用于所有高性能与低功率的应用，如手机的基带、应用处理器晶片、高清晰视频处理器及其他消费和通信设备晶片。

中芯国际商务长兼资深副总裁季克非表示，上述进展将使该公司成为大陆首家提供45奈米技术的代工厂。