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中芯国际冲刺45/40奈米制程技术，预计于2011年进入量产阶段，11日宣布与安谋(ARM)签订协议，双方将合作拓展至65奈米与45奈米技术，透过这项协议，中芯可望获得ARM更先进的硅智材(IP)数据库，让客户够顺利转近65奈米与45奈米平台，缩短客户进入量产时间，也有助于中芯加速扩展先进制程。

中芯2010年营运好转，由于第2季业外挹注，顺利转亏为盈，带动整体上半年亏损缩小，业界预期在经营体质调整，以及半导体产业复苏带动订单成长下，中芯国际第3季可望持续获利，不过成长幅度可能会较同业来的小。

中芯资深副总裁兼首席商务长季克非表示，中芯国际一直以来致力于提供卓越的技术来支持SoC客户，通过扩大与ARM的合作关系，使用业界领先的ARM物理IP，将为客户提供了1个能够轻松地移植到65奈米和40奈米的平台，缩短客户达到量产的时间。

该协议将免费提供ARM的DesignStart在线IP访问入口供双方客户使用，可下载9轨和12轨multi-Vt逻辑库套件、电源管理包、ECO包和ARM优化的高密度存储编译程序。该协议扩展双方长期合作关系，以提供双方客户得以用于0.18微米、0.13微米、0.11微米和90奈米的制程上具高度差异化的IP。

通过ARM先进的的物理IP，中芯可提供1个经客户广泛验证的ARM物理IP库配套的设计平台。这些IP库已用于全球数以千计的SoC设计，专门用于对精确性、性能、功耗和面积上有需求的低功耗、高密度的移动和便携式SoC产品。其中，65奈米库将于2010年10月开始提供，40奈米库则将在2011年第1季提供。

ARM公司执行副总裁和物理IP部门总经理Simon Segars表示，作为物理IP的领先供货商，ARM非常高兴与中芯国际的协作，这使ARM的技术能够被更广泛地采用，随着业界领先的ARM物理IP全面产品组合，双方共同的客户将能够免费获取1个低成本的、专为低功耗、高密度的移动和便携式SoC提供的完整IP解决方案。