三星领先业界采用30奈米制程量产2Gb DDR3
编辑：Helan 发布：2010-07-21 12:27三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)21日宣布，本月将在世界上最早实现30纳米级2GB DDR3 DRAM量产。这是继去年7月三星在业内最先实现40纳米级DDR3 DRAM之后的又一纪录，预估4Gb密度的DDR3 30奈米制程产品也将在今年底量产。30纳米级产品比40纳米级产品量产性增加60%，而比50~60纳米级产品更是增加2倍以上的成本竞争力。
据了解，该款产品应用在电脑产品时的处理速度将是现有DDR3 DRAM产品的1.6倍，DDR2 DRAM产品的3.5倍，实现2133Mbps的data处理速度。同时采用了保证传输的安全性新设计。
另据了解，30纳米级产品拥有出色的节电效能。应用于服务器的30纳米级的DDR3 DRAM产品在工作电压为1.35伏的状态下，可以实现1,866Mbps的处理速度。如果应用于台式电脑的4G存储时由30纳米级2GB DRAM构成的模组每小时耗电量为1.73W,这相对于50纳米级产品的4.95W几乎节电一半以上。
特别是今年伴随着CPU进入30纳米级，目前电脑产品已经进入了“CPU(中央处理器)，DRAM30纳米级”时代。CPU，DRAM共同达到30纳米级将实现比以往产品性能提高60%，耗电减少约20%的效果。这大大提高了产品的绿色环保水平。
三星半导体事业部的存储器负责人赵秀仁社长表示，三星电子从去年开始为低耗电服务器提供“绿色存储”解决方案。并得到了主要服务器客户的高度评价。今年开始将把业内最好的“绿色存储”30纳米DRAM提供给服务器客户和家用电脑客户，并和30纳米级CPU一起将大家带入环保电脑时代。
三星电子5月17日宣布，2010年18兆韩圆的设备资本支出当中11兆韩圆将投资在半导体。今年三星旗下记忆体部门的资本支出总额由原先计画的5.5兆韩圆提升至9兆韩圆，新增的投资额将用来兴建DRAM、NAND型快闪记忆体与次世代记忆体产品的生产线「Line-16」。
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