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据报导，三星电子(Samsung Electronics)应用可大幅提升内存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技术开发出8GB DDR3 DRAM模块。三星以3D-TSV技术在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭载2颗集积芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)产品，10月时已装设在客户商服务器上，完成产品测试。

之前虽有应用3D-TSV技术成功开发出产品的案例，但这是首次开发出真正能商用化的产品。3D-TSV技术是将数十微米厚的硅晶圆(Silicon Wafer)直接在薄芯片上穿洞，同样的芯片以垂直方式集积穿透，是相当尖端的封装技法。

集积2颗2Gb DRAM时容量增加至4Gb，若集积4颗，则容量为8Gb。一般为扩展内存容量，皆采用制程微细化方式增加单项产品容量，近来该技术面临瓶颈，因此内存业者正尝试运用TSV技术增加容量。

TSV以线路连接层迭的芯片，相较于以前使用电子封线(Wire Bonding)方式制作的产品速度较快且减小芯片厚度及耗电量。此外，新产品可呈现较旧产品多2~4倍大容量，搭载在服务器的内存容量增加，服务器系统的功能至少可提升50%以上。

将2Gb芯片以电子封线方式层积的大容量RDIMM产品在服务器中以800Mps速度运作，运用3D-TSC方式层积的大容量RDIMM反应速度提升近70%，达1,333Mbps。

三星2011年后将会在4Gb以上大容量DDR3 DRAM产品采用3D-TSV技术，以因应32GB以上大容量服务器用内存产品需求。

三星半导体事业部内存商品企划专务金昌铉表示，2008年开发出3D-TSV层积芯片，这次将开发服务器用内存模块，提供客户最佳性能的亲环境服务器。未来也将以3D-TSV技术为基础，持续推出大容量内存解决方案，主导能牵引高性能服务器市场成长的亲环境内存市场。