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北京时间12月6日下午消息，三星电子周二表示，他们决定计划在中国建立工厂，从2013年开始生产闪存芯片。三星此举旨在寻求抓住智能机和平板电脑快速发展的机遇。

如果建厂计划获得批准，该工厂将是三星第二座海外芯片制造工厂，这也反映出中国市场正变得日益重要。三星还计划在中国建立平板显示屏生产基地。

“新生产线将满足我们客户快速增长的需求，同时加强我们在存储产业的整体竞争力。”三星存储总裁Jun Dong-soo在声明中称。

韩国新韩投资公司(Shinhan Investment)分析师金永灿(Kim Young-chan)表示：“随着收入水平的不断提升，中国预计将超过美国成为第一大电子品市场。”

三星表示，他们尚未确定该闪存芯片工厂的地址和具体投资金额。金永灿预计，三星将为此投资4万亿韩元(约合35亿美元)至5万亿韩元。

三星新闪存芯片生产线将采用先进的20纳米级制造工艺。闪存在断电后依旧可以保存数据，目前被广泛用于智能机、平板电脑、数字音乐播放器和U盘中，正逐步取代硬盘成为笔记本主要存储介质。

三星表示，他们已经就在外国投建生产基地向韩国政府提交了申请，后者要求本国公司需要提出类似申请，主要是担忧本国有价值的高科技技术泄露。

三星现在是全球最大的NAND闪存芯片制造商，市场份额达到40%，主要与日本东芝、韩国海力士和美国美光竞争。

三星目前唯一的海外芯片工厂位于美国德州奥斯汀。三星在周二的声明中称，在进行了36亿美元投资后，他们提前提高了该工厂产能，将全产能生产逻辑半导体，比如用于移动设备的处理芯片。在建厂声明发布前，三星周二股价下降2.1%。

尽管DRAM销售表现疲弱，但智能型手机、平板计算机(Tablet PC)预料将带动NAND Flash需求增温。三星于2011年第3季率先宣布以20纳米制程产出NAND Flash，抢占技术制高点。日本大厂东芝(Toshiba)则不让三星专美于前，日前关闭3座类比芯片厂，表示要将资源投注于NAND Flash研发。