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三星电子8月6日称，公司在世界上首次批量生产“三维垂直结构NAND闪存”(3D V-NAND)。该产品采用三星电子独创技术--“三维筒形CTF(3D Charge Trap Flash)单元结构”和“三维垂直叠层工艺技术“，较原有20纳米产品的集成度多出一倍。产品容量达到128千兆位，为业界最高。

既有的NAND闪存产品由40多年前开发的断层单元结构组成，但最近引进10纳米级工艺后，单元间隔大幅缩小，导致干预现象严重。三星电子通过结构革新和工艺革新解决了该问题。得利于此，书写速度快了一倍以上，书写次数增加到2-10倍，耗电量也减少一半。

业内认为，三星电子此次批量生产“三维垂直结构NAND闪存”(3D V-NAND)，将超越半导体技术界限，有望出现1Tb以上大容量NAND闪存。三星电子经过长达十年的钻研后成功开发出该产品和批量生产，并已向韩国、美国和日本等各国提出了300多起专利申请。