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6月1日消息，三星电子宣布计划扩大其在平泽市的NAND生产能力，以增强其满足新兴技术需求的能力。该扩建工程将在今年5月动工，预估投资规模为8万亿韩元（约合65亿美元），计划在2021年下半年开始量产三星先进的V-NAND存储芯片，以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求。

三星电子存储器全球销售与市场部执行副总裁Cheol Choi表示，“这项新投资重申了我们致力于保持存储技术领域领先地位的承诺，即使在市场面临极大的不确定时依然如此。我们将继续以最优化的解决方案为市场服务，同时为整个IT行业和整体经济的增长做出贡献。”

来源：三星

在人工智能，物联网和5G扩展推动下，催生出海量大容量存储需求，三星电子积极布局，增加投资，是为保证其在未来市场竞争中保持领先地位。

目前，三星电子NAND Flash生产线主要分布在韩国华城、平泽以及中国西安。其中，西安二期工厂和平泽P2工厂在积极扩建中。近期，三星包机派遣200多名扩建所需技术人员赴西安，加速推进西安工厂扩建工作。

平泽P2工厂作为NAND Flash和DRAM的混合产线于今年五月份安装设备同时建设极紫外光刻（EUV）生产线，计划生产先进的DRAM。而此次扩产是针对NAND Flash产线。

在NAND Flash投入上，除了在产能上持续投资之外，三星也正在加快先进制程的过渡，于今年三月份宣布将在平泽P1产线由第五代V-NAND更新为最先进的第六代V-NAND（100+层），西安二期产线量产第五代V-NAND，以完全满足高端市场存储需求。