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据韩媒报道，近期，三星电子建立了专项小组致力于增强第六代V-NAND 3D闪存芯片的量产竞争力，保持其技术领先性。

目前，三星最先进的第六代V-NAND闪存芯片可通过硅通孔技术实现128层3D 堆叠，显而易见，这是一项技术难度较高的挑战，因此三星建立专项小组致力于克服量产推进中的良率提升工作。

据悉，该专项小组成员包括三星电子半导体部分技术研究中心的工作人员以及负责批量生产的各部门员工。业内人士分析认为，该专项小组的成立表现了三星电子急于扩大第六代V-NAND闪存芯片的生产能力。

随着存储容量需求的不断增大，NAND闪存已经由2D转向3D堆叠，并不断增加堆叠高度，目前各大原厂已经研发出100+层3D NAND。然而，随着堆叠层数的不断增加，制作工艺也更加复杂。据悉，三星电子第六代V-NAND闪存芯片的沟道蚀刻时间是第五代的两倍以上。