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三星电子6日宣布，三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国家科学技术学院(UNIST)、剑桥大学两家高校合作，发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料，此项研究可能加速下一代半导体材料的问世。

三星表示，SAIT最近一直在研究和开发二维(2D)材料——只有一层原子的晶体材料。具体来说，研究所一直致力于石墨烯的研究与开发，并在该领域取得了突破性的研究成果，如开发了一种新型石墨烯晶体管，以及一种生产大面积单晶片级石墨烯的新方法。除了研究和开发石墨烯，SAIT一直致力于加速这种材料的商业化。

这种新发现的材料被称为非晶态氮化硼(a-BN)，由硼和氮原子组成，为非晶态结构。非晶态氮化硼是由白色石墨烯衍生而来，其中硼原子和氮原子排列成六边形结构，而a-BN的分子结构实际上使其与白色石墨烯有独特之处。

SAIT石墨烯项目负责人、首席研究员Shin Hyeon-jin表示:“为了增强石墨烯与硅基半导体工艺的兼容性，半导体衬底上的晶片级石墨烯生长应在低于400摄氏度的温度下进行。我们也在不断努力将石墨烯的应用扩展到半导体之外。”

无定形氮化硼具有一流的超低介电常数——1.78，具有较强的电气和机械性能，可作为互连隔离材料，以减少电干扰。也证明了这种材料可以在400摄氏度的低温下在晶圆片上生长。因此，非晶态氮化硼有望广泛应用于DRAM和NAND解决方案等半导体，特别是用于大规模服务器的下一代内存解决方案。

对此，SAIT副总裁兼无机材料实验室负责人Park Seong-jun表示，“最近，人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣越来越大。然而，在现有的半导体工艺中应用该材料仍存在许多挑战。我们将继续开发新材料，引领半导体领域的转变。”