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近日，韩媒报道称，三星正在研发第七代V-NAND，堆叠层数将达176层，预计明年4月份量产。此外，有报道称，该新一代产品将采用双堆叠制造程序生产。

三星电子目前大规模量产的128层3D NAND采用的是单堆叠方式生产，该技术可以保证成本更有竞争力。简单来说，第六代128层V-NAND是在128层堆叠的储存单元(cell)上，一次打孔制造而成。

然而，对于堆叠层数更高的下一代NAND闪存，若不在其中增加强化结构，很难再以相同方式增加层数。因此，三星计划改用双堆叠方式强化结构，但是这样做的弊病就是会增加制造程序，同一时间所能制造的产品数量便会减少，进而产品成本竞争力将会削弱。