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三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就。

三星最新开发的32Gb DDR5内存颗粒采用前沿的工艺技术，提高了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。

尤其是，过去使用16Gb内存颗粒制造的DDR5 128GB内存模组需要采用硅通孔(TSV)工艺。而现在，通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔(TSV)工艺也能够生产128GB内存模组。与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。

以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。