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慧荣Flash芯片获认证 美光量产34纳米闪存

编辑:jane   发布:2009-07-02 10:46

        内存IC设计公司慧荣科技昨(1)日表示,多款闪存(Flash)控制芯片已获美光认证,可望领先同业推出34奈米制程多层单元(MLC)Flash,可支援美光16Gb及32Gb的Flash。
       慧荣总经理苟嘉章表示,美光是全球少数量产32/34奈米新世代Flash的厂商,慧荣是首家通过认证的控制芯片厂商,即日起将可开始供应一系列支持美光 MLC Flash的控制芯片,慧荣的客户能采用美光新世代的Flash来开发高容量的SD、microSD、F、SSD及随身碟产品,降低成本,应用于多样化的装置及平台。
      苟嘉章表示,美光的新Flash是消费性电子及通讯产品提供储存解决方案,无论是在容量或效能提升上,都能加速更多新应用的普及如SSD等。

      Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘

企业信息
公司总部
公司名称:
慧荣科技
地点:

台湾省新竹县竹北市台元街

成立时间:
1995年
所在地区:
台湾
联系电话:
886-3-5526888

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