慧荣 http://www.siliconmotion.com/

慧荣科技(Silicon Motio)公布09年第三季营收约2,300万美元，较第二季成长14%。单季总出货量6,700万颗，较前一季成长24%。慧荣第三季行动储存产品出货量较上一季成长21%，其中高效能SD控制芯片(133×)成功取得全球两大重量级客户Desin-in。同时，慧荣推出当前最快速的CF控制芯片(600×)，每秒数据传输速度可达90MB。

此 外，在新一代Flash的支持上，慧荣不但领先同业推出支持3-bits per cell MLC Flash的控制芯片，包括新帝(SanDisk)东芝(Toshiba) 43奈米与32奈米，及三星(Samsung)42奈米与32奈米，同时也推出支持新帝东芝32奈米、三星35奈米与32奈米，以及海力士 (Hynix) 32奈米2-bits per cell MLC的控制芯片。

行动通讯方面，上季宣布为三星手机提供的ISDB-T行动电视解 决方案已开始出货，供应快速成长中的巴西市场。另外，在同样成长迅速的中国市场，慧荣的CDMA收发器(Transceiver)取得两家手机代工大厂订 单，这两个订单与上季宣布的其他CDMA订单预计将于第四季至明年初开始大量出货，成为慧荣行动通讯产品线未来持续成长的重要驱力。

「如 我们所预期，随着产能利用率不断提升及制程转移至30奈米与40奈米，第三季NAND Flash市场开始呈现回温现象。」慧荣科技总经理苟嘉章表示：「慧荣客户能取得充足的Flash货源，因此在记忆卡零售及手机搭载市场，出货量均呈现成 长。然而，未来却存在着不确定的因素，主要是10月以来，Flash价格再度向上攀升，导致成本转嫁到Flash相关产品的终端售价上，短期内可能影响慧 荣客户的出货量，并间接影响我们复原的力道。」

苟嘉章接着表示：「尽管如此，我们相信在技术迅速变迁的NAND Flash市场中，慧荣一直能寻找到正确的定位。我们新推出的控制芯片能支持目前市场上最新、成本更低的3-bits per cell MLC Flash。 相信透过最先进的控制芯片技术，3-bits per cell MLC Flash将在未来几年内成为市场的主流，满足行动储存产品低成本及高效能的需求。除了支持3-bits per cell MLC Flash的控制芯片，慧荣同时推出支持各家30奈米2-bits per cell MLC Flash的控制芯片，包括先前宣布的IM及后续推出的其他大厂产品。此外，也推出能管理较低等级Flash的控制芯片及为更高阶记忆卡产品所设计的控制 芯片。」

展望未来，苟嘉章表示：「我们将以审慎的态度面对目前的成长，尽管Flash价格走势仍未明朗，我们相信市场对30 与40奈米 2-bits per cell MLC Flash、3-bits per cell MLC Flash及更新一代 Flash的需求将与日俱增，对更高阶记忆卡及固态硬盘(Solid State Drive)的需求也将不断增加，慧荣在这些深具成长潜力的市场将持续稳固领导地位。」

慧荣预估2009年第四季营收成长率将介于持平至10%间，毛利率预估介于46%~48%。Non-GAAP营业费用 (不含员工认股权证、并购FCI相关和一次性费用)预估介于1,400万美元至1,500万美元之间。