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慧荣今天推出其最新的UFS 2.1控制器系列，目前已经开始为选定的NAND OEM合作厂商提供样品，预计将于下半年投入量产。

慧荣UFS系列产品符合JEDEC制定的UFS2.1标准，其中SM2750采用的是BCH纠错技术，支持UFS HS-Gear3x1L通道，随机读写速最高达30000/30000 IOPS。SM2752采用的是LDPC纠错，HS-Gear3x2L通道，随机读写速最高达50000/40000 IOPS。

慧荣UFS系列产品支持巿场各大NAND Flash制造商生产的3D MLC与TLC闪存产品，采用了基于MIPI M-PHY接口的串行链路和SCSI架构模型（SAM），支持高效能和大容量嵌入式储存，以及支持嵌入式UFS、UFS卡和uMCP等多种尺寸规格，并兼容市场上所有主流移动应用处理器平台，是为下一代智能移动设备设计的高性能、高容量、低功耗的解决方案，以满足时下智能型手机不可或缺的多任务、多媒体需求。

UFS相较于eMMC最大的优势在于速度的大幅提升，UFS 2.0如果是HS-G3 X 1通道理论带宽达5.8Gbps，相当于SSD SATA 3.0接口的传输速度，如果是HS-G3 X 2通道则将高达11.6Gbps，是eMMC5.0（400MB/s）的数倍，UFS 3.0速度还可更高。

2016年三星、SK海力士、美光积极推动UFS产品发展，并导入3D NAND应用。其中三星基于先进的V-NAND推出容量高达256GB的UFS 2.0，最高顺序读写速度分别达850MB/s和260MB/s，2017年有望基于64层3D NAND推出UFS新品。SK海力士的UFS 2.1产品采用的是第二代36层3D NAND，顺序读速高达800MB/s，顺序写速度可达200MB/s。美光也为移动设备推出了一款32GB容量的3D NAND，支持UFS 2.1规范，预计将在2017年开始大量出货。东芝也推出了最新的32GB-128GB容量UFS 2.1产品。

2017年主要的控制芯片厂慧荣推出了SM2750和SM2752两款UFS 2.1控制芯片，群联也有支持3D TLC的UFS 2.1控制芯片PS8311，预计除了原厂之外，在年底前将有更多的厂商推出UFS新品。

另一方面，新一代智能手机旗舰机型CPU主芯片三星Exynos8895、高通835、联发科Helio X30、华为麒麟960全面升级支持UFS 2.1和LPDDR 4/4X，华为Mate 9搭载麒麟960已配置UFS 2.1，在三星、SK海力士、美光、东芝等积极投入UFS 2.1量产的推动下，以及慧荣、群联UFS控制芯片投入量产，预计2017年将有更多高端旗舰机搭载UFS，2018年UFS将有望全面取代eMMC。