Micron
过渡到 DDR5 将提供更高的带宽以释放每个处理器的更多计算能力，从而有助于缓解未来几年的潜在瓶颈。
美光 9400 SSD 采用美光176层3D TLC，PCIe Gen4接口，符合NVMe 1.4规范，U.3 外形尺寸，向后兼容 U.2 插槽，提供6.4TB 到 30.72TB多种容量选择。
Montierth 将负责领导美光的移动业务，包括构建世界一流的移动解决方案，以应对由数据密集型移动体验需求驱动的不断增长的内存和存储市场机会。Montierth 将向美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana 汇报工作。
Xiaomi 13 是全球首批采用 LPDDR5X 的智能手机之一，其峰值速率高达每秒 8.533 Gb。
美光 2550系列SSD 提供 22x80mm、22x42mm 和 22x30mm 外形规格，并提供 256GB、512GB 和 1TB 容量选择。
作为全球首家官宣232层NAND Flash的存储原厂，美光的研发进展及供应策略对存储市场具有举足轻重的影响。那么，美光对于明年存储市场的展望有何变化？如何通过先进制程激发市场的应用需求？12月8日，美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将在中国闪存市场峰会CFMS2022上发表重要演讲，敬请期待！
美光最新 LPDDR5X 专为高端和旗舰智能手机打造，峰值速度8.533 Gbps，比上一代 LPDDR5 提高33%。
使用第 4代 AMD EPYC处理器系统，美光实现了每插槽 378 GB/s 的峰值内存带宽，而第 3 代 AMD EPYC 处理器系统为 189 GB/ s，系统内存带宽增加了两倍。
3年多来，美光进一步投资数十亿美元，将其晶圆厂改造为先进、高度自动化、可持续和人工智能驱动的设施。这包括对美光在日本广岛的工厂的投资，该工厂将在1β上大规模生产DRAM。
美光在纽约的超级工厂是其战略的一部分，该战略旨在在未来十年将美国制造的领先 DRAM 产量逐步提高到公司全球产量的 40%。
爱达荷州博伊西
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美光G9 TLC NAND 2024-07-31
Micron 232层NAND 2022-07-27
Micron 3D TLC B95A 2019-05-09
Micron 3D TLC B27A 2018-03-14
Micron 3D TLC B27B 2018-03-14
美光HBM3E 2024-02-27
Micron DDR5 DRAM 2020-01-06
美光DDR4 DRAM 2016-01-26
美光9550系列数据中心SSD 2024-07-24
Micron 2500 NVMe SSD 2024-04-17
Micron 3500 NVMe SSD 2023-12-05
Micron 7500 NVMe SSD 2023-10-17
Crucial T700 PCIe Gen5 SSD 2023-05-30
美光DDR5 RDIMM 2024-05-07
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Crucial LPCAMM2 2024-05-07
Crucial DDR5 Pro Memory 2023-05-17
Crucial DDR4 Pro Memory 2023-05-17
Micron DDR5 Part Catalog 2020-01-06
Micron UFS 4.0 2023-10-30
Micron车用UFS3.1 2020-06-01
Micron e·MMC 5.0系列 2015-11-25
Micron e·MMC4.5系列 2014-07-16
Micron MCP系列 2013-07-20
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