力成明年持续扩充产能 寻找合适地点建厂
编辑：Helan 发布：2015-10-28 11:27存储器封测厂力成董事长蔡笃恭表示，力成明年将持续扩充产能，寻找合适的地点建厂，今年资本支出估约80～90亿元（新台币，下同），明年目标达100亿元左右，其中三分之二会用于覆晶封装（Flip Chip）与凸块（Bumping）的扩产，以满足2017年的车用电子产品所需，力成明年将会积极在此部分布局。
展望明年成长动能，力成总经理洪嘉鍮表示，DRAM和NAND Flash将持续成长，而高阶逻辑IC封测进入大量生产，特别在覆晶封装部分；此外，3D IC等先进封装产品也慢慢在放量，为因应产能扩充需求，力成会持续在两岸找寻空间土地设厂。至于中国西安厂预计明年首季完成验证、第二季正式量产，亦为推动明年成长的重要动能之一。
蔡笃恭表示，力成立足台湾、耕耘全世界，投资以台湾为优先。虽然台湾土地取得困难、设厂有很多考量，但仍会尽力克服不力因素。力成近期在湖口买下晶扬科技厂地，计划花费6～12个月扩充一倍，预计明年6月开始使用一部分、第四季可望完成建设，将建立测试大楼，并将固态硬盘（SSD）业务也集中进去。
洪嘉鍮指出，力成今年在凸块部分投资不少，目前产能已满载，新加坡厂目前每月产能1.2万片，台湾厂预计12月初会将每月产能自2.8万片扩充至3.2万片，明年目标将整体产能扩增至7.5万片，不过确切时程尚未确定。
蔡笃恭亦表示，力成在凸块及先进制程部分发展非常好，在科学园区的产能现在已满载，目前正物色在湖口附近建立全球最先进的3D IC工厂，目前第一期机器设备已发单、约20亿元左右，预计设备机器明年第三季可进驻。
对于存储系统大厂西部数据（WD）收购SanDisk，洪嘉(金俞)表示，客户对此反应正面，预期2～3年内对力成没有太大影响。而英特尔中国大连厂转型生产NAND Flash，洪嘉鍮亦表示力成过去亦与英特尔合作NAND Flash封测，未来应有不少合作想象空间，对力成亦为正面消息。
对于上述近期产业的并购及布局变动，蔡笃恭认为，虽然目前所有布局都很敏感，力成应不予置评，但目前看到的消息对力成都是正面的，没有负面影响。
