力成：2024年将具备HBM Via middle 封装能力
编辑：AVA 发布：2023-10-24 16:46半导体封测厂力成董事长蔡笃恭、执行长谢永达近日在法说会上透露集团最新的技术进展，包括将量产高性能大尺寸FCBGA，以及寻求与晶圆厂结盟，开发细线宽、细矽通孔（TSV）直径的SI interposer（中介层），结合已有的先进封装堆叠技术，提供客户除了CoWoS 的另外一种选择。
蔡笃恭表示，公司将量产高性能大尺寸FCBGA，以及TSV 连结的CIS CSP 不管是否有附光学玻璃镜片，均可以开始量产，预期力成会是在专业封测代工（OSAT）中，运用CIS利用TSV 作为连结的技术是最领先的。
另外，已投资晶圆厂使用的CMP制程，在2024年中，会使力成将具有存储Via middle 晶圆Via reveal 的能力，结合原本HBM堆叠技术，成为少数OSAT具备HBM Via middle 封装能力的公司。
蔡笃恭强调，集团多年来开发的大面板尺寸FO Chip first, Chip last, Chip middle 等先进2.5D/3D封装，效益展现，将开始迎接新应用的到来。
最后，力成开始寻求与晶圆厂结盟开发细线宽、细矽通孔（TSV）直径的SI interposer（中介层），结合已有的先进封装堆叠技术，提供客户除了CoWoS 的另外一种选择。
执行长则表示，力成用于人工智能、服务器、电动汽车等的电源模组／电源塔也将小量生产、及量产，时间分别将在明年首季和第2季。
执行长进一步说，关于APU 使用的HB POP-b，会在本季小量生产，明年首季量产，小晶片大尺寸采用FCBGA 解决方案，则会在2024年第1季小量生产。
