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据媒体报道，三星二期一阶段项目首批半导体产品已正式下线上市，二阶段全面开工建设。

三星高端存储芯片项目于2012年落户西安高新区，主要生产3D V-NAND闪存芯片，目前产品通过韩国总部远销欧美、东南亚等地。

其中，三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目。2019年，一期项目和封装测试项目全部实施完毕，并实现满负荷量产，实现产值513亿元人民币。

二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约70亿美元，第二阶段投资80亿美元。按照规划，三星西安二期第一季阶段于2020年3月竣工投产，第二阶段将于2021年下半年竣工。

三星西安二期项目建成后将新增产能每月13万片，占三星电子全球产量的40%，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。