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据韩国媒体Ddaily报道，三星正在加快先进工艺的过渡，位于韩国京畿道平泽P2号工厂正在安装设备，同时建设极紫外光刻（EUV）生产线，计划生产先进的DRAM。

来源：三星

据行业消息称，三星与设备商已签署了设备合同，正在平泽新工厂中安装半导体设备，将用于批量投产第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm级DRAM，预估初期月产能约3万片12吋晶圆。

三星2020年第一季度资本支出7.3兆韩元（约60亿美元），其中半导体支出为6.0兆韩元（约49亿美元），同比增长近一倍。三星还在财报中指出，会将重点放在不断增长的服务器DRAM需求上，并通过扩大1Ynm技术迁移来增强成本竞争力，同时推进1znm DRAM的技术发展。但随着电路的物理极限越来越近，改善信号处理速度，降低工作电压和待机电压，提高新技术的DRAM产量，成为三星推进EUV工艺量产的动力。

来源：三星，中国闪存市场ChinaFlashMarket

三星是首家在DRAM 生产中采用EUV的公司，EUV可有效的提高性能、产量，以及缩短开发时间，以克服DRAM技术延伸方面的挑战。2020年3月，三星已经成功出货100万个业界首款基于极紫外光（EUV）技术的10nm级（D1x）DDR4模块，并已经完成了全球客户的评估，满足高端PC、移动、企业级服务器和数据中心应用。

根据DRAM技术发展，三星EUV将从第四代 10nm 级（D1a）或高度先进的14nm级DRAM全面部署，预计2021年将开始批量生产基于D1a的DDR5和LPDDR5，届时DRAM生产效率将提高一倍。ASML也表示，2020年第一季度的净预订量强劲，达到31亿欧元，环比增长28.4%，其中包括15亿欧元的EUV系统，EUV的需求持续强劲，部分需求来自DRAM。

虽然受 “疫情”影响，全球消费类市场需求低迷，但是数据中心、企业等领域对DRAM和NAND Flash需求不断增加，而且目前部分欧洲国家和地区已开始复工复产，后续消费类市场对存储芯片的需求可望持续增加。

因此，三星除了积极推进新工厂投产DRAM，三星2020年3月中国西安二期一阶段工厂产品正式下线上市，主要生产第五代96层3D V-NAND芯片，满足中国市场当地客户需求，以及满足全球不断增长的需求。为了进一步扩大产能，三星也正在建设西安二期第二阶段项目，2021年下半年竣工。

此外，铠侠和西部数据新建的位于日本岩手县北上市的K1工厂已于2020年第一季度出货3D NAND，后续产能将持续爬坡。同时，铠侠和西部数据还将于2020年底在四日市工厂内兴建Fab 7工厂，将用于投入生产最新的3D NAND，计划可能在2022年投入生产。