NAND和DRAM技术极致体现!三星TB级容量产品接踵而至,瞄准高价值市场
编辑:Helen 发布:2021-06-03 14:33数据中心、企业等领域存储需求强劲,且对性能的要求也在进一步提升,2021年三星致力于扩大先进15nm DRAM和128L V-NAND的生产,以及加快14nm DRAM和176L V-NAND技术的升级,陆续推出创新SSD和DRAM模块产品,优化服务器系统存储结构。
三星推出PM1731a系列ZNS SSD,最大容量4TB,将在下半年量产
三星电子宣布推出基于 ZNS(Zoned Namespace,分区命名空间)技术的新企业级SSD— PM1731a,该新ZNS SSD计划在下半年开始量产,大容量的SSD将满足数据中心、云计算/云数据等环境下不断增长的存储需求。
来源:三星
三星PM1731a系列ZNS SSD是基于第六代V-NAND,2.5英寸形态,提供2TB和4TB容量,SSD支持双端口,这是为了在使用过程中,若一个端口发生错误,还能用另一个经过优化的端口稳定运行服务器,确保可以访问,而这对于运行重要程序和密集型数据应用,以及无法承受暂停的企业和公共云公司而言,至关重要。
三星表示,ZNS SSD体现了其差异化的存储解决方案,并显著提高服务器SSD的可靠性和使用寿命。同时,三星计划下一代ZNS产品将采用QLC NAND技术,将更好的满足未来企业存储对更高容量存储和性能的需求。
三星支持CXL的存储模块,DDR5技术集成,容量亦可扩展至TB级
Gartner公开数据显示,受疫情影响,2020年全球IT支出下降3.2%,2021年虽然全球依然受疫情的影响,但是远程办公、在线学习、游戏等需求大增,企业数据、互联网数据的存储需求仍较为强劲,再加上全球疫苗接种的推进,全球经济也在逐渐恢复当中,预测2021年全球IT支出预计将达到3.9万亿美元,较2020年增长6.2%。
上个月,三星推出的支持CXL互连标准,基于DDR5的存储模块,同样可将容量扩展至TB级,同时显著减少了系统延迟。
来源:三星
Compute Express Link(CXL)技术的行业标准是由CXL联盟发布,已经更新至2.0版本,是提供一致性和内存语义的开放式行业标准互连技术,使主机处理器与加速器、缓冲存储器和智能I/O设备之间高带宽、低延迟连接。
三星在积极的推动新DRAM模块的商业化应用,通过了英特尔下一代服务器平台验证,使得服务器系统能够显著扩展内存容量和带宽,加速数据中心的人工智能(AI)和高性能计算(HPC)工作负载。