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三星在“年度代工论坛”宣布其强化工艺技术路线图，包括两个新的尖端节点——SF2Z 和 SF4U，以及利用其代工、存储和高级封装（AVP）业务独特优势的集成三星人工智能解决方案平台。
三星电子近日宣布，从16层堆叠的高带宽存储器（HBM）开始，将采用必需的混合键合技术，这一声明标志着半导体存储技术的一个重要里程碑。此举预计将推动高性能计算和人工智能等领域的发展。
CXL是一种下一代接口，可以高效连接各种设备，例如 CPU、GPU、内存和存储，具有高度的灵活性。CMM-D 可以满足行业对大容量内存解决方案日益增长的需求，并开启 CXL 接口商业应用的新篇章。
据韩媒报道，三星与KAIST等研究机构合作，正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。
三星表示，其与全球各合作伙伴的 HBM 供应测试正在“顺利”进展。
三星电子于21日突然宣布更换负责半导体业务的DS部门负责人。全永铉未来事业计划团部长（副会长）被任命为新的DS部门负责人，而前任DS部门负责人庆桂显被任命为未来事业计划团部长。三星电子表示，这次人事变动是在全球经济环境不确定的情况下，为了加强半导体未来竞争力而采取的预防措施。
三星电子成功将3D DRAM技术推进到16层堆叠。这一技术突破标志着三星在下一代存储半导体领域的领先地位，有望推动整个行业的发展。
经过与移动应用处理器（AP）和移动设备供应商的验证之后，10.7Gbps LPDDR5X将于今年下半年开始量产。
三星电子近日公布2024年第一季度的盈利预期：营收约71万亿韩元（约合524.8亿美元），同比增长11.4%；环比增长4.8%；营业利润约6.6万亿韩元（约合48.8亿美元），去年同期营业利润为0.64万亿韩元，2023年第四季度营业利润为2.82万亿韩元。
三星HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s，产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超过50%。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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