抢三星订单 海力士HBM2 DRAM拼Q3量产
编辑:Helan 发布:2016-03-08 10:24德国科技网站报导,SK海力士的第二代4GB堆栈超宽带存储器(HBM2 DRAM)将在第三季进入量产,随后8GB HBM2 DRAM也将在第四季量产,争抢Nvidia与超微高阶显卡存储器订单的意图明显。
三星4GB HBM2存储器虽然已早先一步进入量产,但海力士亦步亦趋,反倒有更多时间观察市场接受度。海力士代在受访时表示,超微Polaris与Nvidia新一代Pascal绘图芯片都采三星HBM2 DRAM,也是海力士抢夺的目标,充分展现后发先至的企图心。
HBM2存储器传输频宽达每秒256GB,是第一代HBM芯片的两倍,更能满足4K分辨率屏幕对高频宽存储器的需求。除此之外,HBM还有较省电的的优点。
随着4K显示技术日益成熟,4K屏幕的应用将更普及,对高效能存储器的需求只会有增无减,无论三星或是海力士都将受惠。