SK海力士此次实现了季度收入创历史新高,大幅超过在2022年第二季度实现的13.8110万亿韩元记录。营业利润也是继半导体超级繁荣期的2018年第二季度(5.5739万亿韩元)、第三季度(6.4724万亿韩元)之后时隔6年创下了5万亿韩元水平的业绩。
SK海力士正在与全球PC客户进行对新产品的验证,计划验证完成后今年内开始量产,并同时推出面向大型客户和普通消费者的产品。
SK海力士计划在今年年底前将5代1b 10纳米级DRAM的月产量提升至9万片,以应对高带宽内存(HBM)需求的增长。这一计划比去年的7万片目标增加了2万片。业界预计,随着HBM需求的持续增长,SK海力士可能会进一步扩大增产计划。
SK海力士在2024年台北国际电脑展(COMPUTEX Taipei 2024)上,以"Memory, The Power of AI"为主题,展示了其在AI内存领域的最新技术成果,包括AI服务器解决方案、设备端AI PC内存技术及消费级SSD产品。
随着DRAM微细化的持续发展,SK海力士、三星电子等企业正积极开发并应用新型材料。特别是对于下一代光刻胶(Photoresist, PR)之一的金属氧化物光刻胶(Metal Oxide Resist, MOR)表现出了浓厚的兴趣。SK海力士在下一代DRAM量产中采用了极紫外光(EUV)用MOR,三星电子也在考虑应用EU...
SK海力士母公司SK集团会长崔泰源透露,公司正在研究在日本和美国等国家建设高带宽存储(HBM)工厂的可能性,以应对人工智能(AI)对高性能芯片的激增需求。同时,SK海力士强调清洁能源采购在选址过程中的重要性,并计划加强与日本芯片制造商的合作。
SK海力士2024年第一季度合同负债较前一季度增加了1.1608万亿韩元,主要由于从英伟达等主要客户那里获得的额外预付款。合同负债的增加反映了公司从客户那里获得了大量合同,其中HBM产品销售情况良好,预计到2024年累计销售额将达到500亿美元。与此同时,主要竞争对手三星电子也开始量产HBM3E产品,以满足AI领域的需...
在半导体产业高速发展的背景下,高带宽内存(High Bandwidth Memory, HBM)领域的技术竞争日益激烈,尤其是三星和SK海力士这两家公司。近一个月来,HBM市场的关注急剧上升,特别是HBM3E和HBM4产品的进展。行业专家预计,HBM的市场份额将继续增长,预计明年将占据DRAM市场的30%。
SK海力士与台积电合作生产HBM4,台积电负责芯片前端和后端工艺,SK海力士负责晶圆测试和堆叠。12层HBM4预计明年下半年量产,16层产品计划2026年量产。SK海力士还计划2026年开始生产HBM4E。
与现有UFS不分区域而混合存储的方式不同,ZUFS可以对不同用途和使用频率的数据进行分区(Zone)存储,提高手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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